[发明专利]用于提高半导体器件性能的在浅沟槽上形成接触孔的方法

摘要

本发明涉及一种NMOS器件的制造方法，尤其涉及一种用以提高NMOS器件中的电子迁移率的用于提高半导体器件性能的在浅沟槽上形成接触孔的方法。本发明通过在NMOS沟道方向的两边添加接触孔设计，并在接触孔内注入热膨胀系数大于二氧化硅的金属，使得该金属在高温沉积并冷却后在浅沟槽中产生张应力，该张应力传导至沟道内，会对沟道形成张应力，从而部分抵消了浅沟槽对沟道产生的压应力，进而增加电子的迁移率，改善了NMOS器件的性能。

主权项

一种用于提高半导体器件性能的在浅沟槽上形成接触孔的方法，其特征在于，包括：以一氮化硅阻挡层覆盖在一晶体管的有源区、栅极及用于隔离有源区的浅沟槽区域上；在版图设计过程中，在所述晶体管中浅沟槽区域上添加接触孔；进行层间绝缘材料的刻蚀，刻蚀后的接触孔停在氮化硅阻挡层上；进行过刻蚀，以打开接触孔内的氮化硅阻挡层，保证有源区以及多晶硅栅上的接触孔底部被刻蚀干净；对浅沟槽上添加的接触孔进一步加深刻蚀，以保证浅沟槽上接触孔的形成；在接触孔内进行金属填充。