[发明专利]单面蚀刻方法及单面蚀刻装置无效
| 申请号： | 201110124604.3 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102779724A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张书省;蔡嘉雄;刘仕伟;茹振宗 | 申请（专利权）人： | 均豪精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单面蚀刻方法及装置。其中单面蚀刻方法包括提供晶圆，此晶圆具有上表面及下表面；形成液态保护层于晶圆的上表面；使晶圆藉由输送装置通过液槽，液槽容置有蚀刻液；以及使晶圆与蚀刻液接触进行蚀刻。藉由所形成于晶圆上表面的液态保护层，保护晶圆上表面在蚀刻制程中，不会受蚀刻液影响或制程中蚀刻液的喷溅，进一步避免晶圆上表面产生蚀刻痕迹，同时简化生产制程，提高产能效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单面 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种单面蚀刻方法，包括：提供一晶圆(21)，所述晶圆(21)具有一上表面(211)及一下表面(212)；形成一液态保护层(22)于所述晶圆(21)的所述上表面(211)；使所述晶圆(21)藉由一输送装置(23)通过一液槽(24)，所述液槽(24)容置有蚀刻液(25)；以及使所述晶圆(21)与所述蚀刻液(25)接触进行蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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