[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构及其制造方法有效
申请号: | 201110124716.9 | 申请日: | 2011-05-13 |
公开(公告)号: | CN102646713A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 耿军;郑载润;吴代吾;王世凯;訾玉宝;王建伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构及其制造方法,用以减少掩膜次数,简化工艺流程,节约成本。该方法为:在基板上依次溅镀像素电极薄膜和钝化绝缘层薄膜,采用第一掩膜板进行掩膜曝光后再进行刻蚀,形成像素电极、钝化绝缘层和漏极过孔,然后依次溅镀源、漏极薄膜和欧姆接触层薄膜,采用第二掩膜板进行掩膜曝光后再进行刻蚀,形成源极、漏极、源漏沟槽以及覆盖在源极和漏极之上的欧姆接触层,再依次溅镀有源层薄膜、绝缘层薄膜和栅极薄膜,采用第三掩膜板进行掩膜曝光后再进行刻蚀,形成有源层、绝缘层、栅极以及源极驱动过孔。本发明同时公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 液晶显示器 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管液晶显示器的像素结构,其特征在于,包括:一像素电极和钝化绝缘层,像素电极形成在基板上,其上覆盖钝化绝缘层,该钝化绝缘层包含一漏极过孔,该漏极过孔连接漏极和所述像素电极;一源极、漏极,形成在基板上,其中,覆盖在钝化绝缘层的漏极部分,通过所述漏极过孔与像素电极相连,所述源极和漏极之间通过源漏沟槽隔开;一欧姆接触层和有源层,在源极和漏极覆盖的区域上形成欧姆接触层,并在基板、欧姆接触层、像素电极上覆盖有源层,所述有源层覆盖所述源漏沟槽,连接所述源极和漏极;一绝缘层和栅极,在有源层之上依次覆盖绝缘层和栅极;一源极驱动过孔,截断覆盖在源极之上的欧姆接触层、有源层、绝缘层和栅极,该源极驱动过孔连接所述源极和源极驱动。
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