[发明专利]高压PMOS双槽隔离的SOI晶片有效
| 申请号： | 201110124853.2 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102201448A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 廖红 | 申请（专利权）人： | 四川长虹电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人： | 李顺德 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及SOI技术。本发明解决了现有高压PMOS双槽隔离的SOI晶片由于双槽之间的N型外延层浮空，PMOS源端附近的硅层仍然需要承受电压降导致易被击穿的问题，提供了一种高压PMOS双槽隔离的SOI晶片，其技术方案为：高压PMOS双槽隔离的SOI晶片，包括源端金属、金属前介质、N型外延层及两个隔离槽，其特征在于，还包括N型欧姆接触区及金属，所述两个隔离槽之间的N型外延层上表面设置有N型欧姆接触区，其上设置有金属并沿金属前介质层延伸，且与源端金属连接。本发明的有益效果是，彻底解决电平位移电路中高端PMOS容易击穿的问题，适用于高压PMOS的SOI晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 pmos 隔离 soi 晶片 | ||
【主权项】：
高压PMOS双槽隔离的SOI晶片，包括源端金属、金属前介质、N型外延层及两个隔离槽，其特征在于，还包括N型欧姆接触区及金属，所述两个隔离槽之间的N型外延层上表面设置有N型欧姆接触区，其上设置有金属并沿金属前介质层延伸，且与源端金属连接。
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