[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110124931.9 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102244172A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 高炯德;杨丁子;金裕承;成演准;郑守珍;金大天;李秉权 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/20;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹;韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括发光结构和图案。发光结构包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。图案形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上。所述图案具有形状相似的多个凸起部件或凹进部件。上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，参考区域尺寸相同并以规则的方式布置。凸起部件或凹进部件设置在参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：发光结构，包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；图案，形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上，所述图案具有形状相似的多个凸起部件或凹进部件，其中，上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，参考区域尺寸相同并以规则的方式布置，凸起部件或凹进部件设置在参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星LED株式会社，未经三星LED株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110124931.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
