[发明专利]Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶片及其清洗方法有效
| 申请号： | 201110125995.0 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102789964A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王冰;李海淼;徐卫;刘文森 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;王媛 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种清洗III-V族化合物半导体晶片的方法，包括以下步骤：(1)用一种浓酸于不低于50℃处理晶片；(2)用一种浓酸于不高于30℃处理晶片；(3)用高纯水洗涤晶片；(4)用一种有机酸溶液处理晶片；(5)用高纯水洗涤晶片；(6)用一种NH4OH-H2O2溶液处理晶片；(7)用高纯水洗涤晶片；以及(8)干燥所得晶片。还提供一种III-V族化合物半导体晶片，其特征在于，每平方厘米晶片表面面积中大于0.11μm2的颗粒≤0.5颗，晶片表面的金属残留Cu≤10×1010原子/cm2且Zn≤10×1010原子/cm2，表面平均白雾值≤1.0ppm。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 晶片 及其 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗III‑V族化合物半导体晶片的方法，包括以下步骤：(1)用一种浓酸于不低于50℃处理晶片；(2)用一种浓酸于不高于30℃处理晶片；(3)用高纯水洗涤晶片；(4)用一种有机酸溶液处理晶片；(5)用高纯水洗涤晶片；(6)用一种NH4OH‑H2O2溶液处理晶片；(7)用高纯水洗涤晶片；以及(8)干燥所得晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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