[发明专利]一种实现有机发光二极管电致发光增强结构的方法无效
申请号: | 201110127720.0 | 申请日: | 2011-05-17 |
公开(公告)号: | CN102201552A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 杜春雷;张茂国;董晓春;邓启凌;尹韶云;魏全忠 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 成金玉;贾玉忠 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种实现有机发光二极管电致发光增强结构的方法,其特征在于包括下列步骤:(1)选择有机发光材料,使其同时作为电子传输层和发光层,其发光峰值处波长为λ;(2)选择金属材料作为OLED结构的阴极,并在其上制作周期六边形点阵;(3)按照金属阴极、有机发光材料、空穴传输层、ITO导电玻璃的结构形成层状结构;(4)适当的选择金属六边形点阵的周期,加入电压后,可以使OLED的发光强度得到较大的提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 实现 有机 发光二极管 电致发光 增强 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种实现有机发光二极管电致发光增强结构的方法,其特征在于实现步骤如下:(1)选择有机发光材料,使有机发光材料同时作为电子传输层和发光层,有机发光材料发光峰值处波长为λ;(2)选择金属材料作为有机发光极管(OLED)结构的阴极,并在阴极上制作六边金属周期结构,所述制作六边金属周期结构步骤如下:a.确定将使用的有机发光材料的发光峰值波长λ和折射率;b.建立六边金属周期结构模型;c.设置六边金属周期结构参数,进行仿真,计算出六边金属周期结构的消光截面谱;所述消光截面谱计算公式如下:σext(ω)=σabs(ω)+σscat(ω)(1) σ scat ( ω ) = P scat ( ω ) I source ( ω ) σ abs ( ω ) = P abs ( ω ) I source ( ω ) 其中σabs(ω)是吸收截面,σscat(ω)是散射截面,Pabs(ω)是金属粒子总的吸收能量,Pscat(ω)是总的散射能量,Isource(ω)是入射光强度;以上这些参数,通过在仿真软件中建立模型,设置观察面很容易的得到;d.改变六边金属周期结构参数,六边金属周期结构消光截面谱将获得不同的值,当消光截面谱的峰值位置和发光材料的发光峰值位置重合的时候,认为这时发光材料中的激子处于最佳的光子态密度中,产生最好的发光增强效果,这时即得仿真后的六边金属周期结构;e.根据仿真结果得到的六边金属周期结构,选择聚苯乙烯(PS)球进行自组装,镀膜去球后可以获得相应的六边金属周期结构;(3)按照六边金属周期结构、有机发光材料、空穴传输层、ITO导电玻璃的顺序依次形成层状结构;所述空穴传输层厚度在8~12nm,有机发光材料的厚度为50~100nm,金属阴极上的六边金属周期结构和ITO导电玻璃厚度均在50~100nm之间;(4)加入电压,OLED的发光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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