[发明专利]一种实现有机发光二极管电致发光增强结构的方法无效

专利信息
申请号: 201110127720.0 申请日: 2011-05-17
公开(公告)号: CN102201552A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 杜春雷;张茂国;董晓春;邓启凌;尹韶云;魏全忠 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 成金玉;贾玉忠
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种实现有机发光二极管电致发光增强结构的方法,其特征在于包括下列步骤:(1)选择有机发光材料,使其同时作为电子传输层和发光层,其发光峰值处波长为λ;(2)选择金属材料作为OLED结构的阴极,并在其上制作周期六边形点阵;(3)按照金属阴极、有机发光材料、空穴传输层、ITO导电玻璃的结构形成层状结构;(4)适当的选择金属六边形点阵的周期,加入电压后,可以使OLED的发光强度得到较大的提高。
搜索关键词: 一种 实现 有机 发光二极管 电致发光 增强 结构 方法
【主权项】:
一种实现有机发光二极管电致发光增强结构的方法,其特征在于实现步骤如下:(1)选择有机发光材料,使有机发光材料同时作为电子传输层和发光层,有机发光材料发光峰值处波长为λ;(2)选择金属材料作为有机发光极管(OLED)结构的阴极,并在阴极上制作六边金属周期结构,所述制作六边金属周期结构步骤如下:a.确定将使用的有机发光材料的发光峰值波长λ和折射率;b.建立六边金属周期结构模型;c.设置六边金属周期结构参数,进行仿真,计算出六边金属周期结构的消光截面谱;所述消光截面谱计算公式如下:σext(ω)=σabs(ω)+σscat(ω)(1) σ scat ( ω ) = P scat ( ω ) I source ( ω ) σ abs ( ω ) = P abs ( ω ) I source ( ω ) 其中σabs(ω)是吸收截面,σscat(ω)是散射截面,Pabs(ω)是金属粒子总的吸收能量,Pscat(ω)是总的散射能量,Isource(ω)是入射光强度;以上这些参数,通过在仿真软件中建立模型,设置观察面很容易的得到;d.改变六边金属周期结构参数,六边金属周期结构消光截面谱将获得不同的值,当消光截面谱的峰值位置和发光材料的发光峰值位置重合的时候,认为这时发光材料中的激子处于最佳的光子态密度中,产生最好的发光增强效果,这时即得仿真后的六边金属周期结构;e.根据仿真结果得到的六边金属周期结构,选择聚苯乙烯(PS)球进行自组装,镀膜去球后可以获得相应的六边金属周期结构;(3)按照六边金属周期结构、有机发光材料、空穴传输层、ITO导电玻璃的顺序依次形成层状结构;所述空穴传输层厚度在8~12nm,有机发光材料的厚度为50~100nm,金属阴极上的六边金属周期结构和ITO导电玻璃厚度均在50~100nm之间;(4)加入电压,OLED的发光。
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