[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管制造方法和电子装置无效
| 申请号： | 201110127816.7 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102263202A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 川岛纪之;村瀬英寿;胜原真央 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜晶体管制造方法、薄膜晶体管和电子装置。所述制造方法包括如下步骤：在基板上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有机半导体层；利用激光烧蚀方法选择性地除去所述有机半导体层的一部分，形成有机半导体图形；以及在所述有机半导体图形上形成源极电极和漏极电极。所述薄膜晶体管包括：基板；形成在所述基板上的栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；利用激光烧蚀方法在所述栅极绝缘层上形成的有机半导体图形；以及形成在所述有机半导体图形上的源极电极和漏极电极。本发明能够容易且稳定地制造出低电阻的顶接触型薄膜晶体管，能够实现薄膜晶体管的高性能化和易制造化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管制造方法，所述方法包括如下步骤：在基板上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有机半导体层；利用激光烧蚀方法选择性地除去所述有机半导体层的一部分，形成有机半导体图形；以及在所述有机半导体图形上形成源极电极和漏极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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