[发明专利]非磁性离子Zn2+、Mg2+、Al3+掺杂SnO2基磁性半导体薄膜材料及制备方法

摘要

本发明公开了一种非磁性离子Zn2+、Mg2+、Al3+掺杂SnO2基磁性半导体薄膜材料及制备方法。材料分子结构式为Sn1－xMexO2，x＝0-17％,Me代表Zn、Mg或Al。方法：脉冲喷雾蒸发化学气相沉积(PSE-CVD，Pulsedspray-evaporationchemicalvapordeposition)。将n-(C4H9)2Sn(acac)2(acac=乙酰丙酮基)、Zn(acac)2或Mg(acac)2或Al(acac)3作为前驱物，溶于乙醇中，作为源溶液。向蒸发室内通入一定量的氮气和氧气，分别作为载气和反应气，将源溶液脉冲喷射至蒸发室内，而后输运至加热的衬底表面，沉积获得薄膜样品。脉冲喷雾蒸发化学气相沉积法具有远离平衡态制备、技术简单、定量控制、低耗费且易于获得大面积薄膜等优点，在制得具有室温铁磁性纯SnO2半导体的基础上，成功引入非磁性离子Zn2+或Mg2+或Al3+，使磁性能得到提高，并通过改变掺杂离子的掺杂量有效调制磁性能。

主权项

一种非磁性离子Zn2+、Mg2+、Al3+掺杂SnO2基磁性半导体薄膜材料，其特征在于材料分子结构式为Sn1－xMexO2，x＝0‑17％，Me代表Zn、Mg或Al。