[发明专利]一种具有通孔的半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110128047.2 | 申请日： | 2011-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102214624A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 孙新;马盛林;朱韫晖;金玉丰;缪旻;陈兢 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有通孔的半导体结构及其制造方法，半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔，环形通孔和实心通孔嵌于衬底中；实心通孔是金属填充的通孔；环形通孔是实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。其制造方法为：1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)形成金属层；3)在衬底第一表面上粘附干膜，图形化所述干膜，使干膜在一部分深孔上形成开口；4)向干膜上有开口的的深孔填充金属，去掉所述干膜；5)向剩余深孔中填充介质，形成实心介质塞；6)减薄所述衬底的第二表面。本发明的半导体结构的实心通孔可以用于叠层芯片散热，改善电源完整性；环形通孔则可以改善通孔结构的应力，以及翘曲变形等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有通孔的半导体结构，其特征在于，该半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔，其中：所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；所述环形通孔和实心通孔嵌于所述衬底中，并沿垂直于所述第一表面和第二表面的方向贯穿所述衬底；所述实心通孔，是由金属填充的通孔；所述环形通孔，是由实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。
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