[发明专利]一种用于制作纳米器件的自对准盖板及其制作、使用方法无效
| 申请号： | 201110128172.3 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102786029A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李铁;周玉修;王文荣;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了提供一种用于制作纳米器件的自对准硅盖板，以及该硅盖板的制作方法和使用方法。该硅盖板的正面开设有用于制作电极的图形开口，该硅盖板的背面设有一梯台型凹槽，所述梯台型凹槽的底部与所述图形开口的底部相连通，所述梯台型凹槽的底部尺寸与所制作纳米器件的衬底尺寸相同。利用(100)单晶硅的各向异性腐蚀特性，通过对双面抛光硅片的氧化，双面光刻，各向异性腐蚀和划片等步骤可制作出所述硅盖板。将所述硅盖板盖在尺寸一致的表面有纳米材料的衬底上，经过金属沉积之后直接拿掉盖板，完成器件的制作。这一方法减小了电极布置位置的误差，避免了在金属沉积过程中由于样品台转动而发生的盖板移动导致器件的失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 纳米 器件 对准 盖板 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作纳米器件的自对准硅盖板，其特征在于，该硅盖板的正面开设有用于制作电极的图形开口，该硅盖板的背面设有一梯台型凹槽，所述梯台型凹槽的底部与所述图形开口的底部相连通，所述梯台型凹槽的底部尺寸与所制作纳米器件的衬底尺寸相同。
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