[发明专利]一种用于改善薄膜制备工艺的匀气装置无效
| 申请号： | 201110128609.3 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102787302A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;刘明;龙世兵;谢常青;胡媛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C14/34;C23C14/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于改善薄膜制备工艺的匀气装置，该装置由进气管和匀气环构成，进气管和匀气环均由中空管制作而成，二者内部连通，连接处密封，且匀气环在其所在平面的表面开有气孔。利用本发明，可将反应气体精确地输送到基片附近，减少反应气体对腔体的粘污，并使反应气体与基片均匀接触，使薄膜在基片上生长时具有良好的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 改善 薄膜 制备 工艺 装置 | ||
【主权项】：
一种用于改善薄膜制备工艺的匀气装置，其特征在于，该装置由进气管和匀气环构成，进气管和匀气环均由中空管制作而成，二者内部连通，连接处密封，且匀气环在其所在平面的表面开有气孔。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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