[发明专利]提高NAND闪存读写性能的方法及装置有效
申请号: | 201110129429.7 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN102789421A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 艾骏;胡胜发 | 申请(专利权)人: | 安凯(广州)微电子技术有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵景平;逯长明 |
地址: | 510663 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高NAND闪存读写性能的方法及装置,该方法包括:在系统初始化时,查找NAND闪存中已删除文件;确定已删除文件的逻辑地址;删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系,使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。利用本发明,可以使NFTL在频繁的文件删除再拷贝的过程中,能够及时得到空闲物理块,提高NAND闪存的读写性能和使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 提高 nand 闪存 读写 性能 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种提高NAND闪存读写性能的方法,其特征在于,包括:在系统初始化时,查找NAND闪存中已删除文件;确定已删除文件的逻辑地址;删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系,使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。
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