[发明专利]提高NAND闪存读写性能的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201110129429.7 申请日: 2011-05-18
公开(公告)号: CN102789421A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 艾骏;胡胜发 申请(专利权)人: 安凯(广州)微电子技术有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵景平;逯长明
地址: 510663 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种提高NAND闪存读写性能的方法及装置,该方法包括:在系统初始化时,查找NAND闪存中已删除文件;确定已删除文件的逻辑地址;删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系,使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。利用本发明,可以使NFTL在频繁的文件删除再拷贝的过程中,能够及时得到空闲物理块,提高NAND闪存的读写性能和使用寿命。
搜索关键词: 提高 nand 闪存 读写 性能 方法 装置
【主权项】:
一种提高NAND闪存读写性能的方法,其特征在于,包括:在系统初始化时,查找NAND闪存中已删除文件;确定已删除文件的逻辑地址;删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系,使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。
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