[发明专利]提高NAND闪存读写性能的方法及装置有效
| 申请号： | 201110129429.7 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102789421A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 艾骏;胡胜发 | 申请（专利权）人： | 安凯（广州）微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵景平;逯长明 |
| 地址： | 510663 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高NAND闪存读写性能的方法及装置，该方法包括：在系统初始化时，查找NAND闪存中已删除文件；确定已删除文件的逻辑地址；删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。利用本发明，可以使NFTL在频繁的文件删除再拷贝的过程中，能够及时得到空闲物理块，提高NAND闪存的读写性能和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 nand 闪存 读写 性能 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种提高NAND闪存读写性能的方法，其特征在于，包括：在系统初始化时，查找NAND闪存中已删除文件；确定已删除文件的逻辑地址；删除NFTL中所述逻辑地址对应的逻辑到物理的映射关系，使所述逻辑地址对应的物理块成为空闲块。
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