[发明专利]超级电容器三维多孔复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201110129508.8 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102280260A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 夏新辉;涂江平;麦永津;王秀丽;谷长栋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了超级电容器三维多孔复合薄膜及其制备方法，通过阴极电沉积法，反应60～180s生成三维多孔纳米镍薄膜；以三维多孔纳米镍薄膜为载体，通过阴极电沉积法，反应100～400s沉积，在三维多孔纳米镍层上复合氢氧化钴纳米片层，制备三维多孔纳米镍/氢氧化钴纳米片超级电容器复合薄膜，其中三维多孔纳米镍层的孔径为5～10μm，氢氧化钴纳米片层的片间距为10～300nm，复合薄膜厚度30～200μm，氢氧化钴纳米片与三维多孔纳米镍薄膜的重量比为5∶100～20∶100。本发明复合薄膜具有高比电容，高功率和高能量密度及高循环寿命，在电动汽车、通讯和信号控制等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 电容器 三维 多孔 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维多孔纳米镍/氢氧化钴纳米片超级电容器复合薄膜，其特征在于，所述的三维多孔纳米镍层上复合有所述的氢氧化钴纳米片层，所述的三维多孔纳米镍层的孔径为5～10μm，所述的氢氧化钴纳米片层的片间距为10～300nm；所述的复合薄膜的厚度30～200μm，所述的氢氧化钴纳米片层与所述的三维多孔纳米镍层的重量比为5∶100～20∶100。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110129508.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光学半导体装置及其制造方法
- 下一篇：树脂成形方法、模具装置及树脂成形品
