[发明专利]界面层的形成方法在审
| 申请号： | 201110130077.7 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102789973A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 熊文娟;李俊峰;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种界面层的形成方法，包括：提供衬底；通过热生长，在所述衬底上形成第一厚度的界面层；去除部分界面层，使所述界面层的厚度降低为第二厚度。通过本发明，可以采用目前的任意传统设备来制备出较厚的界面层，而后，去除部分界面层，使其厚度降低为较薄的界面层，都采用现有的设备来实现，而无需增加昂贵的新设备来制备，就能满足高k-金属栅器件对界面层的要求，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 界面 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种界面层的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；通过热生长，在所述衬底上形成第一厚度的界面层；去除部分界面层，使所述界面层的厚度降低为第二厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
