[发明专利]发光器件有效

专利信息
申请号: 201110130178.4 申请日: 2011-05-17
公开(公告)号: CN102255021A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 罗珉圭;金省均;秋圣镐;林祐湜 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/14 分类号: H01L33/14;H01L33/32;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 夏凯;谢丽娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种发光器件,包括:发光结构,其包括至少包括第一区域和第二区域的第一导电半导体层和形成在第一区域中的有源层和第二导电半导体层;第一电极,该第一电极形成在第一导电半导体层上;以及第二电极,该第二电极形成在第二导电半导体层上,其中第二区域包括:第三区域和第四区域,该第三区域形成在发光结构的水平方向上的发光结构的至少一侧上,该第四区域形成在发光结构的水平方向上的发光结构的内部,第一电极包括:第一导电半导体层的纵向方向上的第一导电半导体层的一侧上的第一焊盘;和形成在第四区域中的第一分支,第二电极包括:第二导电半导体层的纵向方向上的第二导电半导体层的另一侧上的第二焊盘;和第三分支和第四分支。
搜索关键词: 发光 器件
【主权项】:
一种发光器件,包括;发光结构,所述发光结构包括至少包括第一区域和第二区域的第一导电半导体层和形成在所述第一区域中的有源层和第二导电半导体层;第一电极,所述第一电极形成在所述第一导电半导体层上;以及第二电极,所述第二电极形成在所述第二导电半导体层上,其中所述第二区域包括:第三区域,所述第三区域形成在所述发光结构的水平方向上的所述发光结构的至少一侧上;和第四区域,所述第四区域形成在所述发光结构的水平方向上的所述发光结构的内部,所述第一电极包括:在所述第一导电半导体层的纵向方向上的所述第一导电半导体层的一侧上的第一焊盘;和形成在所述第四区域中的第一分支,所述第一分支被连接到所述第一焊盘并且在所述第一导电半导体层的纵向方向上延伸,所述第二电极包括:在所述第二导电半导体层的纵向方向上的所述第二导电半导体层的另一侧上的第二焊盘;和第三分支和第四分支,所述第三分支和第四分支被连接到所述第二焊盘并且在第一焊盘方向上延伸,其中所述第一分支与第一台面线隔开以使所述第四区域与所述第一区域分隔第一距离,所述第三和第四分支中的至少一个与第二台面线隔开以使所述第三区域与所述第一区域分隔第二距离,并且所述第二距离大于所述第一距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110130178.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top