[发明专利]检测穿通芯片通孔的缺陷的集成电路有效
| 申请号： | 201110130233.X | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102569260A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金大石;李锺天;金澈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种在晶片级检测穿通硅通孔是否具有缺陷的集成电路。所述集成电路包括：半导体衬底；穿通硅通孔，被配置为形成在半导体衬底中以从半导体衬底的表面延伸至特定深度；输出焊盘；以及电流路径提供单元，被配置为在测试模式期间将半导体衬底与穿通硅通孔之间流动的电流提供至输出焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 芯片 缺陷 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：半导体衬底；穿通硅通孔，所述穿通硅通孔被配置为形成在所述半导体衬底中以从所述半导体衬底的表面延伸至特定深度；输出焊盘；以及电流路径提供单元，所述电流路径提供单元被配置为在测试模式期间将在所述半导体衬底与所述穿通硅通孔之间流动的电流提供至所述输出焊盘。
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