[发明专利]用于多晶硅生产中三氯氢硅合成气的湿法除尘工艺

摘要

本发明公开了一种用于多晶硅生产中三氯氢硅合成气的湿法除尘工艺，将三氯氢硅合成气通入除尘精馏塔，除尘精馏塔为操作压力为120～150kPa的板式塔，轻组分不断汽化上升富集，最终由除尘精馏塔塔顶采出；除尘精馏塔塔顶采用按照质量百分比由以下组分构成：SiHCl3：80％～85％，SiCl4：15％～20％的回流液回流，温度为10～15℃，回流液与三氯氢硅合成气进料的质量流率比为0.8～2；合成气中的重组分杂质与回流液不断换热冷凝，最终由除尘精馏塔塔底部分进入再沸器，部分采出。本发明工艺流程简单，具有易实现，损耗少，同时能耗低的特点，有效的解决后续生产堵塞问题，便于三氯氢硅生产过程的连续稳定。

主权项

一种用于多晶硅生产中三氯氢硅合成气的湿法除尘工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：a.将三氯氢硅合成气由设置于塔板以下的进料口通入除尘精馏塔，除尘精馏塔为板式塔，三氯氢硅合成气进料按照质量百分比由以下组分构成：H2：1％～2％，HCl：8％～10％，SiHCl3：80％～82％，SiCl4：7％～8％，重组分杂质：0.3％～0.6％；除尘精馏塔操作压力为120～150kpa；b.三氯氢硅合成气中的轻组分不断汽化上升富集，最终由除尘精馏塔塔顶采出；c.除尘精馏塔塔顶采用回流液回流，回流液按照质量百分比由以下组分构成：SiHCl3：80％～85％，SiCl4：15％～20％；回流液的温度为10～15℃，回流液与三氯氢硅合成气进料的质量流率比为0.8～2；d.三氯氢硅合成气中的重组分杂质与除尘精馏塔内下降的回流液不断换热冷凝，最终由除尘精馏塔塔底部分进入再沸器，部分采出。