[发明专利]半导体薄膜生长控制设备及控制半导体薄膜生长的方法

摘要

本发明具体涉及一种控制半导体薄膜生长的设备及利用该设备控制半导体薄膜生长的方法。本发明的控制半导体薄膜生长的设备包括反应源管路和半导体薄膜生长反应腔，所述反应源管路包括多条进气管，进气管上设有阀门和流量控制器，阀门设置在贴近半导体薄膜生长反应腔的位置处。本发明的半导体薄膜生长的控制设备中用于半导体薄膜材料的制备，由于阀门距离半导体薄膜生长反应腔足够近，反应源和载气可以快速切换进入反应腔，薄膜生长可以快速停止或开始，从而实现精确控制薄膜厚度。本发明还可实现不同反应气体氛围的快速切换，减小过渡层生长，从而实现不同组分薄膜之间陡峭的生长界面，极大的改善了薄膜器件的性能。

主权项

一种半导体薄膜生长的控制设备，包括反应源管路和半导体薄膜生长反应腔，其特征在于：所述反应源管路包括第一路进气管、分别与半导体薄膜生长反应腔连接的第二路进气管和第三路进气管；所述第一路进气管连接第一尾气管道，其上往第一尾气管道方向依次设有第一流量控制器、第一阀门和第一压力控制器；所述第二路进气管连通半导体薄膜生长反应腔，第二路进气管上往半导体薄膜生长反应腔方向依次设有第二流量控制器及第二阀门，所述第一路进气管和第二路进气管之间设有第一支路和第二支路，所述第一支路一端连接在第一阀门和第一压力控制器之间，另一端连接在第二流量控制器及第二阀门之间，其上设有第一支路阀门；所述第二支路一端连接在第一阀门和第一流量控制器之间，另一端连接在第二阀门和半导体薄膜生长反应腔之间，其上设有第二支路阀门；所述第三路进气管与半导体薄膜生长反应腔之间设有第三流量控制器。