[发明专利]半导体结构及其制法无效
| 申请号： | 201110130913.1 | 申请日： | 2011-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102769006A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 林怡宏;李孟宗;高穗安;陈宜兴;简丰隆 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制法，所述制法是先提供具有电性连接垫的晶片，且于该电性连接垫上形成钛层，并敷设介电层于晶片及部分钛层上，接着，形成铜层于该介电层及钛层上，再形成导电柱于对应钛层的铜层上，最后移除该导电柱未覆盖的铜层。由先形成钛层，再形成介电层，所以当移除铜层时，该介电层上不具有钛层，因而该钛层不会被蚀刻，使钛层不会产生底切现象，因而可以提升导电柱的支撑度，因而提升产品的信赖性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，包括：晶片，具有外露的电性连接垫；第一金属层，形成于该电性连接垫上；介电层，形成于该晶片及该第一金属层上，且具有开孔，以令部分该第一金属层外露于该开孔中；第二金属层，形成于该第一金属层及其周围的介电层上，且该第一金属层的材质不同于该第二金属层的材质；以及导电柱，形成于该第二金属层上。
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