[发明专利]利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的生产方法有效

专利信息
申请号: 201110131199.8 申请日: 2011-05-19
公开(公告)号: CN102211784A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 柴炯;刘献力;王勇;毕建华;李刚 申请(专利权)人: 山东昭和新材料科技股份有限公司
主分类号: C01F7/50 分类号: C01F7/50
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 耿霞
地址: 256408 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属于氟化铝生产领域,具体涉及一种利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的生产方法,包括氟化氢气体的制备、氟化氢气体的净化以及氟化氢气体与氢氧化铝反应制备干法氟化铝。本发明的优点在于通过技术改进和工艺调整将萤石中SiO2质量含量提高到1.2~1.7%,仍然能够生产出合格的氟化铝。
搜索关键词: 利用 萤石 生产 低硅干法 氟化 方法
【主权项】:
一种利用高硅萤石粉生产低硅干法氟化铝的生产方法,其特征在于包括以下生产步骤:(1)将混合硫酸与高硅萤石粉按照质量比1.2~1.24∶1加入到外加热式回转反应炉中进行反应制得粗氟化氢气体,控制外加热式回转反应炉的混合室出口温度为580~610℃,外加热式回转反应炉转速1.8~2rpm;(2)外加热式回转炉中产生的粗氟化氢气体,由预净化塔下部进入塔内,与逆向流动的预净化酸充分接触,洗去气体中的粉尘、硫酸雾、水分及部分杂质,该预净化酸为98wt%硫酸与水的混合液,控制预净化酸中的水分为12~15wt%,净化后的氟化氢气体再经除雾器将其携带的酸雾分离得到较纯净的氟化氢气体;(3)较纯净的氟化氢气体导入流化床反应器的底部作为流化气体,在流化床反应器内与上部加入干燥后的氢氧化铝直接作用得到干法氟化铝。
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