[发明专利]一种纳米同轴电缆异质结阵列基紫外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种纳米同轴电缆异质结阵列基紫外探测器及其制备方法，所述探测器包括基底、导电薄膜，所述的导电薄膜上有作为紫外光吸收层的NiO@TiO2纳米同轴电缆异质结阵列和至少一个N型欧姆电极，所述的NiO@TiO2纳米同轴电缆异质结阵列上有至少一个P型欧姆电极；所述的NiO@TiO2纳米同轴电缆异质结阵列为TiO2纳米管阵列和填充于TiO2纳米管内的NiO纳米线构成。由于本发明的核心结构为由TiO2纳米管阵列和贯穿TiO2纳米管的NiO纳米线构成的纳米同轴电缆异质结阵列，可以充分提高光生载流子的利用率，具有外量子效率和灵敏度高、体积小巧等诸多优点。

主权项

一种纳米同轴电缆异质结阵列基紫外探测器，包括基底(1)、导电薄膜(2)，所述的导电薄膜(2)位于基底(1)上；所述的基底(1)是玻璃基底(1)、金属基底(1)或硅基底(1)，其特征在于：所述的导电薄膜(2)上有作为紫外光吸收层的NiO@TiO2纳米同轴电缆异质结阵列(3)和至少一个N型欧姆电极(5)，所述的NiO@TiO2纳米同轴电缆异质结阵列(3)上有至少一个P型欧姆电极(4)；所述的NiO@TiO2纳米同轴电缆异质结阵列(3)为TiO2纳米管(301)阵列和填充于TiO2纳米管(301)内的NiO纳米线(302)构成，所述的TiO2纳米管(301)阵列由生长方向垂直于导电薄膜(2)的TiO2纳米管(301)平行排列构成，所述的每一根TiO2纳米管(301)内均生长有一根NiO纳米线(302)。