[发明专利]微透镜阵列及其制作方法有效
| 申请号： | 201110131361.6 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102789011A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 闫建华;欧文;欧毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B3/00 | 分类号： | G02B3/00;G03F7/00;G03F7/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种微透镜阵列及其制作方法，所述制作方法包括：提供基底；在基底内形成阵列浅槽；在基底上旋涂光刻胶，所述光刻胶覆盖基底表面及基底内的阵列浅槽；通过光刻、刻蚀工艺使所述阵列浅槽内的光刻胶达到预设高度；通过热熔融工艺在基底上形成光刻胶微透镜阵列；通过刻蚀工艺在基底内形成基底微透镜阵列，所述基底微透镜阵列中相邻的微透镜不在同一水平面内。采用本发明所提供的微透镜阵列制作方法，能够形成填充因子为100％的微透镜阵列，进而在将所述微透镜阵列应用于CCD或IRFPA等器件后，该微透镜阵列能够极大地提高器件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 透镜 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种微透镜阵列制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在基底内形成阵列浅槽；在基底上旋涂光刻胶，所述光刻胶覆盖基底表面及基底内的阵列浅槽；通过光刻、刻蚀工艺使所述阵列浅槽内的光刻胶达到预设高度；通过热熔融工艺在基底上形成光刻胶微透镜阵列；通过刻蚀工艺在基底内形成基底微透镜阵列，所述基底微透镜阵列中相邻的微透镜不在同一水平面内。
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