[发明专利]磊晶基材及其制造方法有效
| 申请号： | 201110131460.4 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102790152A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 钱俊逸;叶哲良;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磊晶基材及其制造方法，本发明的磊晶基材的磊晶表面为纳米尺度高低不平且非图案化的表面，具有协助化合物半导体材料横向磊晶的功效，以成长具良好质量的磊晶层，且该纳米尺度高低不平且非图案化的磊晶表面是经过沉积多晶材料层、第一湿式蚀刻制程、电浆蚀刻制程以及第二湿式蚀刻制程制得，具有制造成本低、生产快速的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磊晶基材，具有晶体基材，所述晶体基材具有一个磊晶表面，其特征在于：所述磊晶表面为纳米尺度高低不平且非图案化的表面。
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