[发明专利]一种新型太阳能电池荧光增效薄膜材料的制备无效
申请号: | 201110131763.6 | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102254986A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 余华;赵丽娟;胡男 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/055;C09K11/87 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种新型太阳能电池荧光增效薄膜材料的制备,首先以SiO2、Al2O3、PbF2、CdF2和稀土离子氧化物为基质材料通过高温固相熔融法制备玻璃前躯体,再采用热诱导腐蚀法制备高掺稀土的氟化物纳米晶,即在玻璃前驱体中可控生长氟化物纳米晶发光颗粒,然后利用氢氟酸腐蚀掉具有掺稀土的纳米晶周围的氧化物基质并释放出氟化物纳米晶。本发明的优点是:制备方法简单,易于实施;利用该材料制得的荧光增效层不仅在CIGS太阳能电池的长波区基本没有光吸收,还能有效的将CIGS太阳能电池不能利用的短波区太阳光转换为长波区荧光,提高了CIGS太阳能电池的光电量子转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 太阳能电池 荧光 增效 薄膜 材料 制备 | ||
【主权项】:
一种新型太阳能电池荧光增效薄膜材料的制备,其特征在于:步骤如下:1)通过高温固相熔融法制备掺稀土纳米晶前躯体,即将SiO2、Al2O3、PbF2、CdF2和稀土离子氧化物按照化学计量比混合均匀,充分研磨后在1000℃温度条件下灼烧2小时,然后将熔融的玻璃液迅速倾倒在铁盘上快速冷却,后制得掺稀土纳米晶前躯体xSiO2‑yAl2O3‑zPbF2‑(50‑z)CdF2:aRe;2)通过热诱导法在上述前躯体中构造zPbF2‑(50‑z)CdF2:aRe纳米微晶,即将掺稀土纳米晶前躯体在核化温度480‑500℃下热处理5‑8小时,然后冷却至室温;3)通过酸腐蚀法去除氧化物基质,即将上述zPbF2‑(50‑z)CdF2:aRe纳米微晶充分研磨后加入浓度为10mol/L的氢氟酸腐蚀12.0小时,去除纳米微晶周围的氧化物基质,然后滴加碱液调节混合液pH值至6~7,然后加入表面活性剂十二烷基苯磺酸钠和聚苯乙烯或氯仿,制得掺稀土纳米微晶溶胶;4)通过高速甩膜法获得具有波长转换效能的荧光增效层薄膜,即在≥2000r/min的转速下甩膜获得荧光增效层薄膜材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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