[发明专利]一种LED外延生长方法和LED外延结构无效
| 申请号： | 201110131866.2 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102208500A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 艾常涛;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/04 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED外延生长方法和LED外延结构，所述方法包括：在衬底表面上依次生长过渡层、第一半导体层、第二半导体层、量子阱层和第三半导体层；其中，所述量子阱层的生长过程为：在第二半导体层上交替生长量子垒和量子阱，并且在量子垒和量子阱的交替生长过程中，量子垒的生长条件和量子阱的生长条件之间的转变，采用逐渐过渡的方式。所述外延结构中，量子垒的材料成分逐渐过渡到量子阱的材料成分，量子阱的材料成分逐渐过渡到量子垒的材料成分。本发明提供的LED外延生长方法和外延结构能降低量子阱层的缺陷密度，提高量子阱层的晶体质量，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种LED外延生长方法，包括：在衬底表面上依次生长过渡层、第一半导体层、第二半导体层、量子阱层和第三半导体层；其中，所述量子阱层的生长过程为：在第二半导体层上交替生长量子垒和量子阱，并且在量子垒和量子阱的交替生长过程中，量子垒的生长条件和量子阱的生长条件之间的转变采用逐渐过渡的方式。
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