[发明专利]用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶成像方法、多相高硅光刻胶及应用有效
| 申请号： | 201110131952.3 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102236253A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 孙逊运 | 申请（专利权）人： | 潍坊星泰克微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/004;G03F7/039;G03F7/038 |
| 代理公司： | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人： | 赵玉峰 |
| 地址： | 261061 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶膜成像方法、多相高硅光刻胶及应用，为能使含有聚硅氧烷和聚硅倍氧半烷高硅光刻胶膜膜曝光成像的方法，达到双相、正相或负相成像方式。在双相成像时，光敏酸使辐射区发生交联，催化剂使没有辐射的区域发生交联，介于辐射和没有辐射之间的区域因催化剂失活而不发生交联。在正相成像时，催化剂使没有受到辐射的区域发生交联，在辐射区光敏酸使催化剂失活而不发生交联。在负相成像时，受到辐射的区域在酸的催化下发生交联，不受辐射的区域则不发生交联。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微光 刻工 多相 光刻 成像 方法 应用 | ||
【主权项】：
用于微光刻工艺的多相高硅光刻胶膜成像方法，其特征在于:多相高硅光刻胶膜包括正相高硅光刻胶膜、负相高硅光刻胶膜和正负双相高硅光刻胶膜，正相高硅光刻胶膜、负相高硅光刻胶膜和正负双相高硅光刻胶膜中含有聚硅氧烷和聚硅倍氧半烷树脂、催化剂和光敏酸，且a.催化剂：使树脂分子在25℃至120℃发生缩合反应，使树脂分子内和分子间生成化学键并使树脂分子发生交联，且催化剂遇到由光敏酸产生的酸后即失去催化活力；b.光敏酸：在波长为小于450纳米光辐射下产生的酸,使催化剂失活，并使催化树脂分子的缩合反应。
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