[发明专利]一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺

摘要

本发明涉及一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺，其步骤是：1）将单晶铜杆通过若干道拉丝工序后形成细小的单晶铜键合丝；2）将经过乙醇超声洗涤的单晶铜键合丝作退火软化加工处理；3）在退火管后设置乙醇冷却槽，将退火后的单晶铜键合丝作乙醇急速冷却处理；4）将经过乙醇冷却槽急冷的单晶铜键合丝以红外干燥装置烘干；5）将干燥后的单晶铜键合丝经复绕分卷及真空包装后得到单晶铜键合丝产品。按照本发明生产的单晶铜键合丝能大大提高产品的抗氧化性能，并保证其性质均一、表面清洁干燥，有效提高单晶铜键合丝产品的封装性能，本方法生产工艺过程简单，操作简便。

主权项

一种提高单晶铜键合丝封装性能的制备工艺，其步骤为：将单晶铜杆通过拉丝工序后形成直径为0.01mm～0.5mm的细小单晶铜键合丝；将经过乙醇超声波清洗器洗涤后的单晶铜键合丝作退火软化加工处理，以使单晶铜键合丝获得较高的破断力和延伸率；将退火后的单晶铜键合丝穿过乙醇冷却槽作急速冷却处理，防止单晶铜键合丝在高温下与空气中的氧气发生氧化反应，减少单晶铜键合丝表面氧化膜的生成，提高单晶铜键合丝的封装性能；将通过乙醇冷却槽急速冷却后的单晶铜键合丝进行干燥处理；将干燥后的单晶铜键合丝复绕分卷及真空包装。