[发明专利]基板处理装置、基板处理装置的控制装置及其控制方法有效
申请号: | 201110132217.4 | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102251226A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 松田和久 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;C23C16/455;C23C16/458;H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种基板处理装置、基板处理装置的控制装置及其控制方法。预先变更对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式,进行对基板的恰当的处理。根据设定值输入部的信息在模式运算部中求出包含旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数的处理气体供给周期模式运算结果。根据设定值输入部的信息通过模拟器来模拟供给到基板上的处理气体的供给区域的形状,该结果显示在显示器上。在比较部中比较来自模式运算部的处理气体供给周期模式的运算结果与来自存储部的对工艺结果造成坏影响的处理气体供给周期模式的参照结果。在判断为处理气体供给周期模式的运算结果与对工艺结果造成坏影响的参照结果一致的情况下,从报警部发出报警。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 控制 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,具备:基板处理室,其收纳基板来进行处理;基板旋转机构,其以使上述基板自由旋转的方式保持上述基板处理室内的上述基板;处理气体供给部,其对上述基板处理室内的上述基板供给处理气体;以及控制装置,其控制上述基板旋转机构以及上述处理气体供给部,其中,上述控制装置具有:设定值输入部,其输入上述基板旋转机构的旋转速度设定值P以及来自上述处理气体供给部的处理气体的供给周期设定值Q、供给时间设定值R和供给次数设定值S;以及模式运算部,其根据来自上述设定值输入部的信息来求出处理气体供给周期模式的运算结果,该处理气体供给周期模式的运算结果包含上述基板旋转机构的旋转周期以及处理气体的供给周期、供给时间和供给次数。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的