[发明专利]高效全光谱硅基双结光伏电池有效
申请号: | 201110132377.9 | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102208478A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 王鹤;杨宏;帅争峰 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L31/078 | 分类号: | H01L31/078;H01L31/0352 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高效全光谱硅基双结光伏电池。该电池由上至下的顺序依次为:正面银电极,正面TCO导电薄膜,正面p型纳米硅层,i型纳米硅层,正面n型纳米硅层,p型纳米硅层,正面纳米硅缓冲层,n型单晶硅,背面纳米硅缓冲层,背面n型纳米硅层,背面TCO导电薄膜,背面银电极。该结构的电池,底电池具有HIT光伏电池的部分优点,顶电池具有纳米硅薄膜光伏电池的特征。采用本结构的光伏电池结特性好,开路电压高,同时对称性电池结构,可以使用来自地面的反射光,能获得高的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 高效 光谱 硅基双结光伏 电池 | ||
【主权项】:
一种高效全光谱硅基双结光伏电池,其特征在于:电池的顺序从上至下依次设置为:正面银电极、正面TCO导电薄膜、正面p型纳米硅层、i型纳米硅层、正面n型纳米硅层、p型纳米硅层、正面纳米硅缓冲层、n型单晶硅、背面纳米硅缓冲层、背面n型纳米硅层、背面TCO导电薄膜和背面银电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110132377.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的