[发明专利]高效全光谱硅基双结光伏电池有效

专利信息
申请号: 201110132377.9 申请日: 2011-05-20
公开(公告)号: CN102208478A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 王鹤;杨宏;帅争峰 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L31/078 分类号: H01L31/078;H01L31/0352
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种高效全光谱硅基双结光伏电池。该电池由上至下的顺序依次为:正面银电极,正面TCO导电薄膜,正面p型纳米硅层,i型纳米硅层,正面n型纳米硅层,p型纳米硅层,正面纳米硅缓冲层,n型单晶硅,背面纳米硅缓冲层,背面n型纳米硅层,背面TCO导电薄膜,背面银电极。该结构的电池,底电池具有HIT光伏电池的部分优点,顶电池具有纳米硅薄膜光伏电池的特征。采用本结构的光伏电池结特性好,开路电压高,同时对称性电池结构,可以使用来自地面的反射光,能获得高的光电转化效率。
搜索关键词: 高效 光谱 硅基双结光伏 电池
【主权项】:
一种高效全光谱硅基双结光伏电池,其特征在于:电池的顺序从上至下依次设置为:正面银电极、正面TCO导电薄膜、正面p型纳米硅层、i型纳米硅层、正面n型纳米硅层、p型纳米硅层、正面纳米硅缓冲层、n型单晶硅、背面纳米硅缓冲层、背面n型纳米硅层、背面TCO导电薄膜和背面银电极。
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