[发明专利]一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜及应用有效
| 申请号： | 201110132760.4 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102199759A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈新亮;耿新华;王斐;张德坤;魏长春;黄茜;张建军;张晓丹;赵颖 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/08;C23C14/35;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，以玻璃衬底为基片，以ZnO:Ga2O3或ZnO:Al2O3作为靶材原料，溅射气体为Ar气，溅射过程中引入氢气且在溅射镀膜周期中氢气流量呈梯度变化，利用磁控溅射镀膜技术制备绒面结构ZnO-TCO薄膜。本发明的优点是：相比于正常氢气流量下利用磁控溅射镀膜技术获得的绒面结构ZnO-TCO薄膜，利用梯度氢气流量法生长的绒面结构ZnO-TCO薄膜具有较好的透过率和较好的电学特性，且薄膜的绒面结构取得明显改善；该薄膜应用于微晶硅薄膜电池或非晶硅/微晶硅叠层薄膜太阳电池，可提高光散射作用，增加入射光程，有效降低有源层厚度，提高Si基薄膜太阳电池的效率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 氢气 生长 结构 zno tco 薄膜 应用 | ||
【主权项】：
一种梯度氢气法生长绒面结构ZnO‑TCO薄膜，其特征在于：以玻璃衬底为基片，以纯度为99.995%的ZnO:Ga2O3或ZnO:Al2O3陶瓷靶作为靶材原料，溅射气体为Ar气，溅射过程中引入氢气且在溅射镀膜周期中氢气流量呈梯度变化，利用磁控溅射镀膜技术制备绒面结构ZnO‑TCO薄膜。
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