[发明专利]阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201110132769.5 | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102637630A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 宋泳锡;崔承镇;刘圣烈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;姜精斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制造方法,属于阵列基板制造领域。该制造方法包括:在基板上形成无机材料凸起;形成分别由第一透明导电层和第一金属层构成的反射区域图案、栅线、从栅线分支出来的栅电极和公共电极;形成由半导体层构成的硅岛图案和由第二金属层构成的数据线图案,在硅岛图案上形成与数据线连接的源电极和漏电极、由半导体层构成的沟道;在基板上涂布无机材料,并对无机材料进行回火工艺后形成一平坦层,并在漏电极上形成过孔;在反射区域形成通过过孔与漏电极连接、由第二透明导电层构成的像素电极。本发明能够降低薄膜晶体管制作中的掩膜道次,减少制作时间,增加产能,进而降低制造成本。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:第一次掩膜工艺,在基板上形成无机材料凸起;第二次掩膜工艺,在经过所述第一次掩膜工艺的基板上形成分别由第一透明导电层和第一金属层构成的反射区域图案、栅线、从所述栅线分支出来的栅电极和公共电极;第三次掩膜工艺,在经过所述第二次掩膜工艺的基板上形成由半导体层构成的硅岛图案和由第二金属层构成的数据线图案,在所述硅岛图案上形成与数据线连接的源电极和漏电极、由半导体层构成的沟道;第四次掩膜工艺,在经过所述第三次掩膜工艺的基板上涂布无机材料,并对所述无机材料进行回火工艺后形成一平坦层,并在所述漏电极上形成过孔;第五次掩膜工艺,在所述反射区域形成通过所述过孔与所述漏电极连接、由第二透明导电层构成的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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