[发明专利]直立式金属氧化物半导体整流二极管及其制作方法

摘要

本发明公开一种直立式金属氧化物半导体整流二极管及制作方法。此方法包括下列步骤：提供半导体基板；于半导体基板的第一侧形成第一多沟槽结构和第一掩模层；于半导体基板的第二侧形成第二多沟槽结构；以及于第二多沟槽结构上形成栅极氧化层、多晶硅结构和金属溅镀层。而直立式金属氧化物半导体整流二极管包括有：湿式氧化层，对应第一多沟槽结构而形成于半导体基板的内部；离子注入层，形成于半导体基板内和第二多沟槽结构间，并相邻于第一掩模层。其中，金属溅镀层并对应第一多沟槽结构而形成于第一掩模层上，且使第一掩模层的部分表面加以露出。

主权项

一种直立式金属氧化物半导体整流二极管制作方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基板，其中该半导体基板包括高掺杂浓度的硅基板与低掺杂浓度的外延层；于该半导体基板的第一侧形成第一多沟槽结构和第一掩模层；于该半导体基板的第二侧和该第一掩模层上形成第二掩模层；根据该第二掩模层对该半导体基板进行蚀刻，以于该半导体基板的第二侧形成第二多沟槽结构；于该第二多沟槽结构的表面上形成栅极氧化层；于该栅极氧化层和该第二掩模层上形成多晶硅结构；对该多晶硅结构进行蚀刻，并对该第二掩模层进行湿浸渍；于该半导体基板内和该第二多沟槽结构间进行离子注入工艺，而形成离子注入层；对该第二掩模层进行蚀刻；于该离子注入层、该栅极氧化层、该多晶硅结构和该第一掩模层上形成金属溅镀层；以及对该金属溅镀层进行蚀刻，以将该第一掩模层的部分表面加以露出。