[发明专利]晶圆表面局部定位采样方法

摘要

本发明公开了一种半导体晶圆亲水表面、疏水表面局部定位采样方法。对工艺处理过程中完全亲水晶圆，或者表面做不到完全疏水面的晶圆、以及因材质的缘故不会成为疏水面的晶圆，采用气相包裹法局部定位采样方法，在采样时避免了因采样液滴在亲水晶圆表面铺展导致采样任务无法完成、采样后采样液滴无法回收的难题。本发明的采样除上述的半导体晶圆表面外，也适用于太阳能面板、液晶屏、以及高纯度材质表面采样。

主权项

一种半导体晶圆表面局部定位采样方法，其特征在于：利用定位采样触头对晶圆表面进行采样；采样步骤如下：(1)采样前对晶圆表面进行数据测试，确定污染物的分布区域；(2)定位采样触头输出采样药液；(3)采样药液对测试到的晶圆表面污染物分布区域进行采样；(4)采样后回收含污染物的药剂；所述定位采样触头为双层结构，在触头内层结构安装采样液输出管道和采样液回收管道；外层结构为一套管，套装在触头内层结构的外部周围，并与内部结构之间具有缝隙，所述缝隙形成气体导管；对100％亲水面或有局部亲水面的晶圆表面进行采样操作时，在所述气体导管中注入高速气体；对100％疏水性晶圆表面进行采样操作时，所述气体导管中不注入气体；所述采样触头安装触头臂上，触头臂依照采样前的数据测试所得污染分布数据结果在采样开始时移动至污染区域。