[发明专利]晶圆表面局部定位清洗方法

摘要

本发明公开了一种半导体晶圆表面局部定位清洗方法。相对以往的整体浸泡清洗技术，不需要将晶圆整体浸入到大量的化学药剂中以去除杂质，而是提出以微小触头尖端的药剂液滴对晶圆局部进行定位清洗。本发明特点就是每次清洁过程仅仅需要微升级的药剂量，就能达到清除晶圆表面污染的目的，可以大量减少清洗药剂和纯水的使用量，达到节能减排，降低制造成本的效果。

主权项

一种半导体晶圆表面局部定位清洗方法，其特征在于：利用定位清洗触头对晶圆表面进行清洗；清洗步骤如下：(1)清洗前计算机读取晶圆表面污染物的分布区域数据；(2)定位清洗触头输出清洗药剂；(3)药剂对测试到的晶圆表面污染物分布区域进行清洗；(4)边清洗边回收含污染物的液滴；(5)药剂清洗完成后切换成纯水清洗，直到完成整个污染区域的清洗过程；所述定位清洗触头为双层结构，在触头内层结构安装清洗液输出管道和清洗液回收管道；清洗触头安装触头臂上，触头臂依照清洗前测试所得污染分布数据，在清洗开始时移动至污染区域清洗起始位置。