[发明专利]一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法

摘要

一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法。该方法采用质量浓度0.5％～3％的氢氟酸溶液处理氮化硅表面，持续时间5～120秒，以减小薄膜与溶液的接触角，进而增加薄膜表面的亲水性。

主权项

一种氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法，其特征为所述的方法步骤如下：1)加水稀释市售的质量浓度为40％的氢氟酸，制备质量浓度0.5％～3％的氢氟酸溶液(1)；2)将步骤1)制得的氢氟酸溶液(1)置入顶端装有滚轴(4)的溶液槽(5)中，所述的氢氟酸溶液(1)恰好没过滚轴(4)；3)将硅衬底(2)置于滚轴(4)上，硅衬底(2)的氮化硅面向下与所述的氢氟酸溶液(1)接触；4)驱动硅衬底(2)，使硅衬底(2)随滚轴(4)旋转而前进，调节滚轴(4)的速度，使所述的氢氟酸(1)处理氮化硅表面的持续时间为5～120秒；5)在经步骤4)处理过的氮化硅表面旋涂或者喷涂含磷酸或硼酸，在氮化硅表面形成均匀的表面薄膜；所述的处理方法采用氢氟酸作用氮化硅表面，将氮化硅表面的非极性基团刻蚀掉，将氧化的含氮基团脱氧变成极性基团，减小薄膜与溶液的接触角，增加氮化硅表面的亲水性，获得高亲水性氮化硅表面；所述的氮化硅表面氢氟酸溶液处理方法用于制备晶体硅太阳电池。