[发明专利]固态成像装置和成像设备

摘要

本发明公开了一种固态成像装置，所述固态成像装置包括光电转换层和MOS晶体管电路。光电转换层形成在半导体基板上。MOS晶体管电路读出与在光电转换层中产生并接着被收集的电荷相对应的信号并形成在半导体基板中，所述电荷具有给定极性。MOS晶体管电路包括电荷积聚部分、复位晶体管和输出晶体管。电荷积聚部分与光电转换层电连接。复位晶体管将电荷积聚部分的电位复位到复位电位。输出晶体管输出与电荷积聚部分的电位相对应的信号。复位晶体管和输出晶体管具有带电体，所述带电体的极性与给定极性相反。在MOS晶体管电路中，满足以下公式(1)：GND＜Vs≤GND+ΔV2+(Vdd/5)…(1)。

主权项

一种固态成像装置，包括：光电转换层，所述光电转换层形成在半导体基板上；和MOS晶体管电路，所述MOS晶体管电路读出与在所述光电转换层中产生并接着被收集的电荷相对应的信号，并且所述MOS晶体管电路形成在所述半导体基板中，所述电荷具有给定极性，其中，所述MOS晶体管电路包括：电荷积聚部分，所述电荷积聚部分与所述光电转换层电连接；复位晶体管，所述复位晶体管将所述电荷积聚部分的电位复位到复位电位；和输出晶体管，所述输出晶体管输出与所述电荷积聚部分的电位相对应的信号，所述复位晶体管和所述输出晶体管具有带电体，所述带电体的极性与所述给定极性相反，满足以下公式(1)：GND＜Vs≤GND+ΔV2+(Vdd/5)…(1)其中，GND表示所有电位的基准电位，Vs表示所述复位电位，而ΔV2表示所述电荷积聚部分在所述复位晶体管处于该复位晶体管的导通状态下的情况下的第一电位与所述电荷积聚部分在所述复位晶体管从该复位晶体管的导通状态已经刚刚变成该复位晶体管的截止状态之后的第二电位之间的差值。