[发明专利]一种含氮硅酸镁薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201110134003.0 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102796517A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料制备领域，提供一种含氮硅酸镁薄膜，所述薄膜为钛掺杂含氮硅酸镁薄膜，其通式为Mg1-XSi2O2N2:XTi4+，其中，X＝0.01～0.15。本发明还提供上述含氮硅酸镁薄膜的制备方法，其方法包括如下步骤：选取MgO粉体、SiO2粉体、Si3N4粉体以及取TiO2粉体混合，烧结作为靶材；将所述靶材装入磁控溅射腔体内，抽真空，设置工作参数，溅射得含氮硅酸镁薄膜。本发明还提供采用此方法获得的含氮硅酸镁薄膜在电致发光器件中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种含氮硅酸镁薄膜，其特征在于，所述薄膜为钛掺杂含氮硅酸镁薄膜，所述钛掺杂含氮硅酸镁薄膜的化学通式为Mg1‑XSi2O2N2:XTi4+，其中，X的取值范围为0.01～0.15。
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