[发明专利]一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法无效
| 申请号： | 201110134292.4 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102153090A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈朝;郑兰花;潘淼;李艳华;杨倩;徐进 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得硼吸杂后的多晶硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 多晶 硅片 硼吸杂 方法 | ||
【主权项】：
一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，其特征在于包括以下步骤：1)将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；2)将步骤1)得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；3)将步骤2)得到的硅片浸泡在HF溶液中；4)将步骤3)得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得硼吸杂后的多晶硅片。
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