[发明专利]衬底处理设备和衬底处理方法无效
申请号: | 201110136207.8 | 申请日: | 2011-05-18 |
公开(公告)号: | CN102254848A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 柴田刚吏;谷山智志;中田高行 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;董典红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及衬底处理设备和衬底处理方法。衬底处理设备包括:反应器;至少两个晶舟运送装置,配置成运送至少两个晶舟;至少一个晶舟支撑台,配置成支撑至少两个晶舟,该晶舟支撑台可移动到反应器下方的位置;以及控制单元,配置成控制晶舟运送装置,使得当由多个晶舟运送装置中的第一晶舟运送装置支撑的至少两个晶舟中的第一晶舟保持由反应器处理的经处理的衬底并且移动回到与反应器间隔开的位置时,使用至少两个晶舟运送装置中的第二晶舟运送装置将保持未经处理的衬底的、至少两个晶舟中的第二晶舟装载到反应器中。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理设备,包括:反应器;至少两个晶舟运送装置,配置成运送至少两个晶舟;至少一个晶舟支撑台,配置成支撑所述至少两个晶舟,所述晶舟支撑台可移动到所述反应器下方的位置;以及控制单元,配置成控制所述晶舟运送装置,使得当由所述多个晶舟运送装置中的第一晶舟运送装置支撑的所述至少两个晶舟中的第一晶舟保持由所述反应器处理的经处理的衬底并且移动回到与所述反应器间隔开的位置时,使用所述至少两个晶舟运送装置中的第二晶舟运送装置将保持未经处理的衬底的、所述至少两个晶舟中的第二晶舟装载到所述反应器中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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