[发明专利]晶片的平坦加工方法有效
申请号: | 201110136754.6 | 申请日: | 2011-05-24 |
公开(公告)号: | CN102263023A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 宫崎一弥;下谷诚;小野寺宽 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种晶片的平坦加工方法,其能够有效地除去由晶锭切片得到的晶片的形变导致的翘曲以及在晶片两面的表层产生的起伏,从而使晶片平坦化。在一次磨削工序(ST11)中,通过对由晶锭切片得到的晶片的两个面(第一面、第二面)进行磨削,来除去两个面的加工形变,从而减小因该加工形变的大小的差异导致的翘曲。在树脂涂布工序、起伏形状恢复工序以及树脂硬化工序(ST12~ST14)中,在维持晶片两面的表层的起伏的形状的状态下,通过紫外线硬化树脂进行成形硬化。在第一面、第二面起伏除去工序(ST15、ST17)中,除去在通过紫外线硬化树脂而硬化了的晶片的表层产生的起伏。 | ||
搜索关键词: | 晶片 平坦 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的平坦加工方法,其是将由晶锭进行切片得到的晶片的两个面加工得平坦的平坦加工方法,所述晶片具有由切片引起的因产生在所述晶片的第一面和该第一面的相反侧的第二面上的形变的大小差异而导致的翘曲、以及通过切片而在所述第一面和第二面的表层产生的起伏,其特征在于,所述晶片的平坦加工方法具备:磨削工序,在通过将所述晶片的所述第一面吸引保持于卡盘工作台的水平保持面来对所述起伏进行矫正从而使晶片水平的状态下,对露出的所述晶片的所述第二面进行磨削,直到将所述晶片的所述第二面的所述形变除去为止,另一方面,在通过将所述晶片的所述第二面吸引保持于所述水平保持面来对所述起伏进行矫正从而使晶片水平的状态下,对露出的所述晶片的所述第一面进行磨削,直到将所述晶片的所述第一面的所述形变除去为止,从而在所述晶片的第一面和第二面形成相等的磨削形变;树脂涂布工序,将紫外线硬化树脂滴在膜上,该膜放置在具有水平的保持面的工作台上,将完成了所述磨削工序的所述晶片的所述第二面放置在所述紫外线硬化树脂上,并且从露出的所述第一面侧向所述工作台方向施加均布于整个面的按压力,将所述紫外线硬化树脂涂布于所述晶片的整个所述第二面;起伏形状恢复工序,在涂布了所述紫外线硬化树脂后,将从所述第一面侧向所述工作台方向施加的按压力解除,使所述晶片的所述起伏的形状恢复;树脂硬化工序,在所述起伏形状恢复工序后,向所述紫外线硬化树脂照射紫外线,使树脂硬化;第一面起伏除去工序,在所述树脂硬化工序后,磨削所述第一面直至将所述第一面的表层的所述起伏除去为止;以及第二面起伏除去工序,以除去了所述起伏而实现了平坦化的所述第一面为基准面,磨削所述第二面直至将所述第二面的表层的所述起伏除去为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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