[发明专利]一种利用两组栅极电极实现像素单元寻址的场发射显示器结构有效

专利信息
申请号: 201110137365.5 申请日: 2011-05-25
公开(公告)号: CN102243974A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 许宁生;陈军;罗杰;邓少芝;佘峻聪 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01J29/04 分类号: H01J29/04;H01J29/46;H01J31/12
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 华辉
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种利用两组栅极电极实现像素单元寻址的场发射显示器结构。该结构包括阴极基板,栅极基板和阳极基板。本发明的场发射显示器的像素单元的开关状态由第一栅极电极和第二栅极电极控制,驱动电压低,结构中不需制作薄膜绝缘层,利于降低成本。本发明中的电极结构能确保阴极电极、第一栅极电极和第二栅极电极三者之间具有高强度的电绝缘特性,利于提高场发射显示器结构的工作可靠性。
搜索关键词: 一种 利用 栅极 电极 实现 像素 单元 寻址 发射 显示器 结构
【主权项】:
一种利用两组栅极电极实现像素单元寻址的场发射显示器(FED)结构,包括:阴极基板(1);阴极电极(4),其在所述阴极基板(1)上形成且与公共电极(5)连接;聚焦电极(3),其在所述阴极基板(1)上形成且与公共电极(5)连接;平面栅电极(8),其在所述阴极基板(1)上形成且与向第一方向延伸的第一栅极电极(28)连接;栅极基板(10),其具有多个开口(9)且与所述阴极基板(1)相对设置并通过第一隔离层(15)与所述阴极基板(1)间隔开预定距离;第二栅极电极(11),其在所述栅极基板(10)的开口(9)区域形成且向与所述第一方向垂直的第二方向延伸引出;冷阴极(2),其形成在所述阴极电极(4)上;以及阳极基板(16),其与所述栅极基板(10)相对设置并通过第二隔离层(19)与所述栅极基板(10)间隔开预定距离,其上具有预定图案的阳极电极(17,20)和荧光粉层(18)。
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