[发明专利]虚设图案以及形成虚设图案的方法有效
申请号: | 201110137642.2 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102799060B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 蔡振华;陈建诚;蔡锦岳;范耀仁;陈科宏;杨祥 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种虚设图案以及形成虚设图案的方法,该方法首先提供布局区域,该布局区域内包括布局图案,且该布局图案具有第一密度。随后于该布局图案中插入多个第一虚设图案,这些第一虚设图案具有第二密度,且该第二密度对应于该第一密度。接下来分割该布局区域以定义多个子区域,这些子区域分别具有第三密度,根据该第三密度与该第二密度的差异调整这些第一虚设图案的大小,以及将该布局图案与该第一虚设图案输出至光掩模上。 | ||
搜索关键词: | 虚设 图案 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种形成虚设图案的方法,包括:提供布局区域,该布局区域内包括元件布局图案、多个第一虚设图案和多个第二虚设图案并且具有第一密度;于该元件布局图案中插入多个第三虚设图案,该多个第三虚设图案具有第二密度,且该第二密度对应于该第一密度;分割包括该元件布局图案、该多个第一虚设图案、该多个第二虚设图案与该多个第三虚设图案的该布局区域以定义多个子区域,该多个子区域分别具有第三密度;根据该第三密度与该第二密度的差异调整各该子区域内的该第三虚设图案的大小;以及输出该元件布局图案与该多个第一虚设图案、该多个第二虚设图案与该多个第三虚设图案至光掩模上。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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