[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和摄像装置无效

专利信息
申请号: 201110137693.5 申请日: 2011-05-25
公开(公告)号: CN102270650A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 河相勲;石渡宏明 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 武玉琴;陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及固体摄像器件、其制造方法和安装有该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件包括:半导体基板;传输栅极,其位于所述半导体基板的表面上;第一导电类型的电荷累积区域;第二导电类型的第一杂质区域,其形成在所述半导体基板的处于所述传感器部处的表面上;第二导电类型的第二杂质区域,其形成在所述电荷累积区域上且在第二导电类型的所述第一杂质区域的下方,并且所述第二杂质区域在所述传输栅极下方延伸;及第一导电类型的杂质区域,其通过与所述第二杂质区域自对准而形成。本发明能提供具有改善的电荷传输和改善的像素特性的高品质固体摄像器件。
搜索关键词: 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 装置
【主权项】:
一种固体摄像器件的制造方法,所述固体摄像器件具有像素,每个所述像素包括进行光电转换的传感器部和对所述传感器部产生的电荷进行传输的电荷传输部,所述方法包括以下步骤:通过使用相同掩模进行离子注入,在半导体基板中形成第一导电类型的杂质区域,并在第一导电类型的所述杂质区域上形成第二导电类型的第二杂质区域;在所述半导体基板的表面上形成传输栅极,所述传输栅极构成所述电荷传输部,所述传输栅极在第二导电类型的所述第二杂质区域上方延伸;通过离子注入,在所述半导体基板中形成第一导电类型的电荷累积区域,所述电荷累积区域用于构成所述传感器部;及通过离子注入,在所述半导体基板的处于所述传感器部处的表面上形成第二导电类型的第一杂质区域,第二导电类型的所述第一杂质区域的杂质浓度高于第二导电类型的所述第二杂质区域的杂质浓度。
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