[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和摄像装置无效
申请号: | 201110137693.5 | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN102270650A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 河相勲;石渡宏明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及固体摄像器件、其制造方法和安装有该固体摄像器件的摄像装置。所述固体摄像器件包括:半导体基板;传输栅极,其位于所述半导体基板的表面上;第一导电类型的电荷累积区域;第二导电类型的第一杂质区域,其形成在所述半导体基板的处于所述传感器部处的表面上;第二导电类型的第二杂质区域,其形成在所述电荷累积区域上且在第二导电类型的所述第一杂质区域的下方,并且所述第二杂质区域在所述传输栅极下方延伸;及第一导电类型的杂质区域,其通过与所述第二杂质区域自对准而形成。本发明能提供具有改善的电荷传输和改善的像素特性的高品质固体摄像器件。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件的制造方法,所述固体摄像器件具有像素,每个所述像素包括进行光电转换的传感器部和对所述传感器部产生的电荷进行传输的电荷传输部,所述方法包括以下步骤:通过使用相同掩模进行离子注入,在半导体基板中形成第一导电类型的杂质区域,并在第一导电类型的所述杂质区域上形成第二导电类型的第二杂质区域;在所述半导体基板的表面上形成传输栅极,所述传输栅极构成所述电荷传输部,所述传输栅极在第二导电类型的所述第二杂质区域上方延伸;通过离子注入,在所述半导体基板中形成第一导电类型的电荷累积区域,所述电荷累积区域用于构成所述传感器部;及通过离子注入,在所述半导体基板的处于所述传感器部处的表面上形成第二导电类型的第一杂质区域,第二导电类型的所述第一杂质区域的杂质浓度高于第二导电类型的所述第二杂质区域的杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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