[发明专利]用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法

摘要

本发明提供一种用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法，包括：提供硅衬底，其上分别形成有超结结构和终端结构的深槽，终端结构的深槽彼此之间排列紧密；在深槽内淀积多晶硅层，其掺杂类型与硅衬底相反；将多晶硅层中的掺杂杂质扩散到硅衬底中，在深槽周围形成杂质扩散区；将多晶硅层和终端结构区域的深槽之间的硅衬底热氧化为氧化层填满深槽，在终端结构区域内形成厚氧化层；在制作MOS器件的多晶硅栅极时，于终端结构的厚氧化层上同步形成多晶硅场板。本发明在终端结构区域由栅极多晶硅形成场板与厚氧化层相结合，有效利用了厚氧化层的分压作用，降低器件的表面电场。本发明结合深槽RESURF和场板的作用，分压效果明显，很大程度节省终端面积。

主权项

一种用于深槽超结MOS器件的终端结构的制作方法，包括步骤：提供硅衬底，其上分别形成有超结结构和终端结构的深槽，所述终端结构的深槽彼此之间排列紧密；在所述深槽内淀积多晶硅层，所述多晶硅层的掺杂类型与所述硅衬底相反；将所述多晶硅层中的掺杂杂质扩散到所述硅衬底中，在所述深槽周围形成杂质扩散区；将所述多晶硅层和所述终端结构区域的深槽之间的硅衬底热氧化为氧化层，所述氧化层填满所述深槽，在所述终端结构区域内形成厚氧化层；在制作所述MOS器件的多晶硅栅极时，于所述终端结构的厚氧化层上同步形成多晶硅场板。