[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板100W-20dB衰减片无效
申请号: | 201110138110.0 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102290623A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 郝敏 | 申请(专利权)人: | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
主分类号: | H01P1/22 | 分类号: | H01P1/22 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板100W-20dB衰减片,其包括一氮化铝基板,氮化铝基板的背面印刷有导体层,氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线,银浆导线连接电阻形成衰减电路,电阻上印刷有玻璃保护膜。该大功率氮化铝陶瓷基板100W-20dB衰减片增大了电阻面积,使得衰减片的抗高低温冲击性能增加,使产品性能指标符合要求。同时避免了在输出端焊接引线时高温对电阻淬伤,避免了因电阻被淬伤在实际使用过程中会坏掉的风险,改善了电路的设计,使得产品可以应用于3G网络。 | ||
搜索关键词: | 大功率 氮化 陶瓷 100 20 db 衰减 | ||
【主权项】:
一种大功率氮化铝陶瓷基板100W‑20dB衰减片,其特征在于:其包括一氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有导体层,所述氮化铝基板的正面印刷有数个电阻及银浆导线,所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路,所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
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