[发明专利]金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大电路无效
| 申请号： | 201110138677.8 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102253402A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 张阳;洪卫军;尹军祖;卜凡亮;秦静 | 申请（专利权）人： | 张阳;洪卫军;尹军祖 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所 13113 | 代理人： | 张红卫 |
| 地址： | 102614 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大电路，适用于地震预报、地质和水文地质勘探、寻找地下水源、环境保护等工作场合，对氡及其子体衰变过程中辐射α粒子的能量进行测量。本发明由前置放大器、三级反相比例放大器和输出电平与TTL电平兼容的比较器组成；所述前置放大器的输入端通过同轴电缆与所述金硅面垒型半导体探测器的输出端相连接，所述前置放大器的输出端经所述三级反相比例放大器接所述输出电平与TTL电平兼容的比较器的输入端，所述输出电平与TTL电平兼容的比较器的输出端接计算机的相应输入端。本发明的有益效果是具有噪声低，响应灵敏度高、转换速度快、防电磁干扰、调试简单、输出数字信号、稳定性高及成本低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 金硅面垒型 半导体 探测器 专用 电荷 灵敏 放大 电路 | ||
【主权项】：
一种金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大电路，其特征在于其由前置放大器、三级反相比例放大器和输出电平与TTL电平兼容的比较器组成；所述前置放大器的输入端通过同轴电缆与所述金硅面垒型半导体探测器的输出端相连接，所述前置放大器的输出端经所述三级反相比例放大器接所述输出电平与TTL电平兼容的比较器的输入端，所述输出电平与TTL电平兼容的比较器的输出端接计算机的相应输入端。
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