[发明专利]非水电解质二次电池及其用负极、负极材料、负极活性物质以及负极活性物质的制造方法有效
| 申请号： | 201110139273.0 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102263242A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 中西铁雄 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/38;H01M4/134;H01M10/05 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种负极活性物质的制造方法，所述负极活性物质是由硅粒子所构成，所述硅粒子是有效作为非水电解质二次电池的负极用的活性物质，所述非水电解质二次电池是一边维持硅的高初期效率与电池容量，一边循环特性优良，且减少充放电时的体积变化。一种非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法，是使用非水电解质的二次电池用的负极活性物质的制造方法，其特征在于，至少包括：在减压下蒸镀金属硅原料，来使硅堆积在温度控制于300～800℃的基板上，并且将该堆积的硅予以粉碎和分级。 | ||
| 搜索关键词： | 水电 二次 电池 及其 负极 材料 活性 物质 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非水电解质二次电池用负极活性物质的制造方法，是使用非水电解质的二次电池用的负极活性物质的制造方法，其特征在于，至少在减压下将金属硅作为原料并通过蒸镀来使硅堆积在温度控制于300～800℃的基板上，并且将该堆积的硅予以粉碎和分级。
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