[发明专利]形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构有效
| 申请号： | 201110139432.7 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102214679A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构，包括高侧和低侧功率开关管，高侧功率开关管的输出极与低侧功率开关管的输入极相连接并一起引出形成输出端口；其中，高侧功率开关管中的P型体区与绝缘体上硅下层的埋氧化层相接触，在高侧和低侧功率开关管之间形成自隔离，将两者绝缘间隔开。本发明在高压半桥结构的高侧和低侧功率开关管之间利用高侧功率开关管中的P型体区使两者形成自隔离，而无需再以沟槽填充氧化物隔离。由于节省了两个功率管之间的隔离面积，因此可以简化制造工艺、降低芯片占用面积而提升半桥结构的功率开关管的有效使用面积，节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 绝缘体 中的 隔离 高压 结构 | ||
【主权项】：
一种形成于绝缘体上硅中的自隔离式高压半桥结构，包括高侧和低侧功率开关管，所述高侧功率开关管的输出极与所述低侧功率开关管的输入极相连接并一起引出形成输出端口；其中，所述高侧功率开关管中的P型体区与绝缘体上硅下层的埋氧化层相接触，在所述高侧和低侧功率开关管之间形成自隔离，将两者绝缘间隔开。
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