[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201110139441.6 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102800700A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内的沟槽，所述沟槽包括位于所述栅极结构两侧且与所述栅极结构接触的第一沟槽、位于所述第一沟槽的底部且与第一沟槽接触的第二沟槽、位于所述第二沟槽底部且与所述第二沟槽接触的第三沟槽，其中，所述第二沟槽向所述栅极结构的一侧突出；位于所述沟槽内的应力层。本发明实施例的晶体管沟道区的应力增加，提高了载流子的迁移率，晶体管的性能增强。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构；其特征在于，还包括：位于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底内的沟槽，所述沟槽包括位于所述栅极结构两侧且与所述栅极结构接触的第一沟槽、位于所述第一沟槽的底部且与第一沟槽接触的第二沟槽、位于所述第二沟槽底部且与所述第二沟槽接触的第三沟槽，其中，所述第二沟槽向所述栅极结构的一侧突出；填充所述沟槽的应力层。
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